SIHD1K4N60E-GE3 没有现货,但可以进行缺货下单。
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表面贴装型 N 通道 600 V 4.2A(Tc) 63W(Tc) DPAK
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHD1K4N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHD1K4N60E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHD1K4N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 4.2A(Tc) 63W(Tc) DPAK
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
散装
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
172 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
63W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
DPAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.45 欧姆 @ 500mA,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1483-1-ND$2.43000类似
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon Technologies39,570IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND$1.33000类似
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散装
数量 单价总价
1$2.50000$2.50
10$1.58000$15.80
100$1.05850$105.85
500$0.83446$417.23
1,000$0.76240$762.40
2,000$0.70180$1,403.60
6,000$0.62487$3,749.22
10,000$0.59572$5,957.20
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.50000
含 VAT 单价:$2.72500