SIHB6N65E-GE3 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


IXYS
现货: 90
单价: $8.82000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $5.60303
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,446
单价: $7.76000
规格书
表面贴装型 N 通道 650 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-263(D2PAK)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 650 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-263(D2PAK)
TO-263-3

SIHB6N65E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB6N65E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHB6N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 650 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-263(D2PAK)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
48 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
820 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
封装/外壳
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
查看交期
申请库存通知
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$3.90000$3.90
10$2.51400$25.14
100$1.72490$172.49
500$1.38756$693.78
1,000$1.27914$1,279.14
2,000$1.18796$2,375.92
5,000$1.08935$5,446.75
10,000$1.06299$10,629.90
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$3.90000
含 VAT 单价:$4.25100