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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHB33N60E-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB33N60E-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3508 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 278W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263（D2PAK） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $10.01000 | $10.01 |
| 10 | $6.75100 | $67.51 |
| 100 | $4.90400 | $490.40 |
| 500 | $4.11700 | $2,058.50 |
| 1,000 | $3.86441 | $3,864.41 |
| 2,000 | $3.80619 | $7,612.38 |
| 不含 VAT 单价: | $10.01000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $10.91090 |
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