Name: SIHB22N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N60ET1-GE3TR-ND
Price: 7.2376 SGD
Availability: InStock

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SIHB22N60ET1-GE3
DigiKey 零件编号	SIHB22N60ET1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIHB22N60ET1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIHB22N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIHB22N60ET1-GE3
描述	MOSFET N-CH 600V 21A TO263
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 86 nC @ 10 V
系列 E	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1920 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 227W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 SIHB22
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 180 毫欧 @ 11A，10V

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替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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