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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHB22N60ET1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHB22N60ET1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIHB22N60ET1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIHB22N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB22N60ET1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263（D2PAK） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 410
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $6.64000 | $6.64 |
| 10 | $4.38600 | $43.86 |
| 100 | $3.10630 | $310.63 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | $2.43795 | $1,950.36 |
| 1,600 | $2.28206 | $3,651.30 |
| 2,400 | $2.20269 | $5,286.46 |
| 4,000 | $2.19456 | $8,778.24 |
| 不含 VAT 单价: | $6.64000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $7.23760 |
