TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB15N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB15N60E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHB15N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 15A(Tc) 180W(Tc) TO-263(D2PAK)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
280 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
78 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1350 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
180W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
封装/外壳
基本产品编号
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现货: 500
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散装
数量 单价总价
1$5.71000$5.71
10$3.75500$37.55
100$2.64320$264.32
500$2.16862$1,084.31
1,000$2.01625$2,016.25
2,000$1.95048$3,900.96
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$5.71000
含 VAT 单价:$6.22390