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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB11N80AE-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） TO-263（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHB11N80AE-GE3 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 42 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 804 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 78W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 800 V | 供应商器件封装 TO-263（D2PAK） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $4.28000 | $4.28 |
| 10 | $2.77200 | $27.72 |
| 100 | $1.91260 | $191.26 |
| 500 | $1.54502 | $772.51 |
| 1,000 | $1.42693 | $1,426.93 |
| 2,000 | $1.32764 | $2,655.28 |
| 5,000 | $1.22029 | $6,101.45 |
| 10,000 | $1.20872 | $12,087.20 |
| 不含 VAT 单价: | $4.28000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $4.66520 |
