Name: SIHB065N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB065N60E-GE3-ND
Price: 3.55073 SGD
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Vishay Siliconix

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Category 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 74 nC @ 10 V
系列 E	Vgs（最大值） ±30V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2700 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 250W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 SIHB065
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 65 毫欧 @ 16A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SIHB065N60E-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SIHB065N60E-T1-GE3TR-ND	$3.67421	参数等效

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SIHB065N60E-GE3