通孔 N 通道 650 V 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
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SIHA6N65E-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIHA6N65E-GE3TR-ND - 卷带（TR）
742-SIHA6N65E-GE3CT-ND - 剪切带（CT）
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHA6N65E-GE3
描述
N-CHANNEL 650V
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1640 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
31W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
产品问答

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现货: 1,992
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT）
数量 单价总价
1$3.87000$3.87
10$2.50200$25.02
100$1.72170$172.17
500$1.38788$693.94
卷带（TR）
数量 单价总价
1,000$1.28056$1,280.56
2,000$1.19035$2,380.70
3,000$1.14939$3,448.17
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.87000
含 VAT 单价:$4.21830