SIHA25N60EFL-E3 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

R6024ENX
Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $6.63000
规格书

类似

FCPF190N60
onsemi
现货: 582
单价: $6.74000
规格书

类似

FCPF190N65S3L1
Rochester Electronics, LLC
现货: 326,740
单价: $1.93500
规格书

类似

FCPF22N60NT
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
现货: 504
单价: $3.97000
规格书

类似

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
现货: 30,015
单价: $3.15000
规格书

类似

STF21N65M5
STMicroelectronics
现货: 309
单价: $7.82000
规格书

类似

TSM60NB150CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 0
单价: $0.00000
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SIHA22N60EL-E3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SIHA25N60EFL-E3

DigiKey 零件编号
SIHA25N60EFL-E3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHA25N60EFL-E3
描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 25A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
146 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2274 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
SIHA25
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所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
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制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$2.96055
含 VAT 单价:$3.22700