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SIHA21N60EF-E3 可以购买了，但通常没有现货。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHA21N60EF-E3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHA21N60EF-E3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
原厂标准交货期 | 28 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 84 nC @ 10 V |
包装 管件 | Vgs（最大值） ±30V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2030 pF @ 100 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 35W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 600 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-220 整包 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 176 毫欧 @ 11A，10V | 基本产品编号 |
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替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | $6.15000 | 类似 |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | $5.69000 | 类似 |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | $5.17000 | 类似 |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | $4.37000 | 类似 |
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此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后，DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.04377 | $3,043.77 |
| 不含 VAT 单价: | $3.04377 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.31771 |
