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SI4936BDY-T1-GE3 已经过时且不再制造。
可用替代品:
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4936BDY-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 30V 6.9A 2.8W 表面贴装型 8-SOIC |
规格书 | 规格书 |
产品属性
筛选类似产品
类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 35 毫欧 @ 5.9A，10V |
制造商 Vishay Siliconix | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15nC @ 10V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 530pF @ 15V |
零件状态 停产 | 功率 - 最大值 2.8W |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
配置 2 N-通道（双） | 安装类型 表面贴装型 |
FET 功能 逻辑电平门 | 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
漏源电压（Vdss） 30V | 供应商器件封装 8-SOIC |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.9A | 基本产品编号 |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
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