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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI4931DY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4931DY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI4931DY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4931DY-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 12V 6.7A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI4931DY-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 个 P 沟道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 12V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.7A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 350µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | |
功率 - 最大值 | 1.1W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
基本产品编号 |
现货: 9,604
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.91000 | $3.91 |
| 10 | $2.53100 | $25.31 |
| 100 | $1.74280 | $174.28 |
| 500 | $1.42816 | $714.08 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2,500 | $1.17982 | $2,949.55 |
| 5,000 | $1.16681 | $5,834.05 |
| 不含 VAT 单价: | $3.91000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $4.26190 |
新加坡