SI4922BDY-T1-GE3 已经过时且不再制造。
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MOSFET - 阵列 30V 8A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SI4922BDY-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SI4922BDY-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SI4922BDY-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SI4922BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SI4922BDY-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 8A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250µA
制造商
Vishay Siliconix
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62nC @ 10V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2070pF @ 15V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
功率 - 最大值
3.1W
零件状态
停产
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
MOSFET(金属氧化物)
安装类型
表面贴装型
配置
2 N-通道(双)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源电压(Vdss)
30V
供应商器件封装
8-SOIC
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
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