Name: SI4160DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4160DY-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0302 SGD
Availability: InStock

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SI4160DY-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SI4160DY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI4160DY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI4160DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SI4160DY-T1-GE3
描述	MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
原厂标准交货期	38 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 25.4A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 54 nC @ 10 V
系列 TrenchFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2071 pF @ 15 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5.7W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 8-SOIC
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25.4A（Tc）	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 SI4160
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.9 毫欧 @ 15A，10V

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