SI3460BDV-T1-GE3
DigiKey 零件编号	SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SI3460BDV-T1-GE3
描述	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 20 V 8A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
规格书	规格书

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 8 V
系列 TrenchFET®	Vgs（最大值） ±8V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 860 pF @ 10 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 2W（Ta），3.5W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 20 V	供应商器件封装 6-TSOP
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Tc）	封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V	基本产品编号 SI3460
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SI3460BDV-T1-BE3	Vishay Siliconix	23	742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND	$1.77000	直接
DMN2028UVT-7	Diodes Incorporated	1,609	DMN2028UVT-7DICT-ND	$0.81000	类似
FDC637AN	onsemi	11,679	FDC637ANCT-ND	$1.69000	类似
FDC637BNZ	onsemi	12,331	FDC637BNZCT-ND	$1.03000	类似
IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	1,993	IRLMS2002PBFCT-ND	$1.28000	类似

SI3460BDV-T1-GE3