MOSFET - 阵列 60V 370mA 510mW 表面贴装型 SC-70-6
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SI1926DL-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SI1926DL-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SI1926DL-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SI1926DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SI1926DL-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 60V 370mA 510mW 表面贴装型 SC-70-6
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SI1926DL-T1-GE3 型号
产品属性
筛选类似产品
类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 340mA,10V
制造商
Vishay Siliconix
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4nC @ 10V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18.5pF @ 30V
零件状态
停产
功率 - 最大值
510mW
技术
MOSFET(金属氧化物)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
配置
2 N-通道(双)
安装类型
表面贴装型
FET 功能
逻辑电平门
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源电压(Vdss)
60V
供应商器件封装
SC-70-6
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
370mA
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
过期
此产品已停产。