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SI1902DL-T1-E3 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI1902DL-T1-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI1902DL-T1-E3TR-ND - 卷带（TR） SI1902DL-T1-E3CT-ND - 剪切带（CT） SI1902DL-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI1902DL-T1-E3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 660mA 270mW 表面贴装型 SC-70-6 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI1902DL-T1-E3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 385 毫欧 @ 660mA，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.2nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | |
功率 - 最大值 | 270mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | |
供应商器件封装 | SC-70-6 | |
基本产品编号 |
过期
新加坡