IRLR120 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 49
单价: $3.00000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $2.37000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 7,904
单价: $2.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $1.23000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.22000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 15,500
单价: $1.81000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $2.26000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $2.21000
规格书
表面贴装型 N 通道 100 V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) DPAK
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IRLR120

DigiKey 零件编号
IRLR120-ND
制造商
制造商产品编号
IRLR120
描述
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) DPAK
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRLR120 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
270 毫欧 @ 4.6A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
490 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
基本产品编号
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