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IRFR120TRLPBF-BE3
Vishay Siliconix
现货: 2,869
单价: $2.92000
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类似

BUK7275-100A,118
Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $2.37000
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类似

IRFR120NTRLPBF
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

IRFR120NTRPBF
Infineon Technologies
现货: 6,600
单价: $2.00000
规格书

类似

IRFR120NTRRPBF
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

IRFR120ZTRPBF
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $1.23000
规格书

类似

STD6NF10T4
STMicroelectronics
现货: 0
单价: $2.21000
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表面贴装型 N 通道 100 V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） DPAK
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IRFR120TRLPBF

DigiKey 零件编号
IRFR120LPBFTR-ND - 卷带（TR）
IRFR120LPBFCT-ND - 剪切带（CT）
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
IRFR120TRLPBF
描述
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
原厂标准交货期
51 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） DPAK
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRFR120TRLPBF 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
360 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
IRFR120
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT）
数量 单价总价
1$2.92000$2.92
10$1.86800$18.68
100$1.26630$126.63
500$1.00842$504.21
1,000$0.96113$961.13
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$0.82031$2,460.93
6,000$0.78524$4,711.44
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.92000
含 VAT 单价:$3.18280