IRFI640GPBF 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 12,107
单价: $1.33351
规格书

类似


onsemi
现货: 83
单价: $3.21000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 163
单价: $3.06000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: $1.11847
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 133
单价: $3.20000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,723
单价: $2.72000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 968
单价: $3.14000
规格书
通孔 N 通道 200 V 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IRFI640GPBF

DigiKey 零件编号
IRFI640GPBF-ND
制造商
制造商产品编号
IRFI640GPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
原厂标准交货期
31 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRFI640GPBF 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
查看交期
申请库存通知
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$6.71000$6.71
50$3.45900$172.95
100$3.14410$314.41
500$2.59262$1,296.31
1,000$2.41551$2,415.51
2,000$2.26669$4,533.38
5,000$2.22714$11,135.70
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$6.71000
含 VAT 单价:$7.31390