
IRFBE30PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRFBE30PBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IRFBE30PBF |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 800 V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IRFBE30PBF 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 欧姆 @ 2.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 78 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $5.63000 | $5.63 |
| 50 | $2.87200 | $143.60 |
| 100 | $2.60440 | $260.44 |
| 500 | $2.13564 | $1,067.82 |
| 1,000 | $1.98505 | $1,985.05 |
| 2,000 | $1.91565 | $3,831.30 |
| 不含 VAT 单价: | $5.63000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.13670 |







