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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IRF640PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRF640PBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IRF640PBF |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
原厂标准交货期 | 28 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IRF640PBF 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V |
包装 管件 | Vgs（最大值） ±20V |
零件状态 在售 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1300 pF @ 25 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 125W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 200 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-220AB |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 180 毫欧 @ 11A，10V | 基本产品编号 |
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替代品 (8)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | 69 | 742-IRF640PBF-BE3-ND | $5.12000 | 直接 |
| FDP18N20F | onsemi | 0 | FDP18N20F-ND | $0.00000 | 类似 |
| FQP19N20 | onsemi | 0 | FQP19N20FS-ND | $1.08783 | 类似 |
| FQP19N20C | onsemi | 0 | FQP19N20C-ND | $0.96920 | 类似 |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | $3.57000 | 类似 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $6.02000 | $6.02 |
| 50 | $3.07620 | $153.81 |
| 100 | $2.79050 | $279.05 |
| 500 | $2.28980 | $1,144.90 |
| 1,000 | $2.12897 | $2,128.97 |
| 2,000 | $1.99381 | $3,987.62 |
| 5,000 | $1.92550 | $9,627.50 |
| 不含 VAT 单价: | $6.02000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.56180 |
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