IRF610LPBF 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 0
单价: $2,716.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $1,058.47800
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 496
单价: $3,918.00000
规格书

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 1,939
单价: $1,365.90909
规格书

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 83,240
单价: $1,651.09890
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 450
单价: $14,845.00000
规格书
通孔 N 通道 200 V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IRF610LPBF

DigiKey 零件编号
IRF610LPBF-ND
制造商
制造商产品编号
IRF610LPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
原厂标准交货期
41 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) I2PAK
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.2 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
3W(Ta),36W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
200 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
I2PAK
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 2A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FQP4N20Lonsemi0FQP4N20L-ND$2,716.00000类似
IPP023N04NGXKSA1Infineon Technologies0IPP023N04NGXKSA1-ND$0.00000类似
IPP039N04LGXKSA1Infineon Technologies0448-IPP039N04LGXKSA1-ND$1,058.47800类似
IPP041N04NGXKSA1Infineon Technologies496448-IPP041N04NGXKSA1-ND$3,918.00000类似
IPP042N03LGXKSA1Rochester Electronics, LLC1,9392156-IPP042N03LGXKSA1-ND$1,365.90909类似
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管件
数量 单价总价
1,000$1.18076$1,180.76
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$1.18076
含 VAT 单价:$1.28703