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通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） I2PAK
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IRF610LPBF

DigiKey 零件编号
IRF610LPBF-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
IRF610LPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） I2PAK
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
基本产品编号
IRF610
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