IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 118 A 431 W 底座安装
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VS-GT75YF120UT

DigiKey 零件编号
112-VS-GT75YF120UT-ND
制造商
制造商产品编号
VS-GT75YF120UT
描述
IGBT MODULE 1200V 118A 431W
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 118 A 431 W 底座安装
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
全桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
118 A
功率 - 最大值
431 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值)
100 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
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