AZ23B6V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 齐纳二极管阵列

AZ23B6V2-HE3-18
DigiKey 零件编号	AZ23B6V2-HE3-18-ND - 卷带（TR）
制造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号	AZ23B6V2-HE3-18
描述	DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT-23-3
客户内部零件编号
详细描述	二极管 - 齐纳 - 阵列 1 对共阳极 6.2 V 300 mW ±2% SOT-23-3
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品二极管齐纳齐纳二极管阵列
制造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列	AZ23
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
配置	1 对共阳极
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)	6.2 V
容差	±2%
功率 - 最大值	300 mW
阻抗（最大值）(Zzt)	10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	100 nA @ 2 V
工作温度	-55°C ~ 150°C
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3
基本产品编号	AZ23B6V2

AZ23B6V2-HE3-18