Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 7.7281 SGD
Availability: InStock

表面贴装型 N 通道 100 V 160A（Ta） 375W（Tc） TO-220SM（W）

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

XK1R9F10QB,LXGQ
DigiKey 零件编号	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - 卷带（TR） 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - 剪切带（CT） 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	XK1R9F10QB,LXGQ
描述	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 160A（Ta） 375W（Tc） TO-220SM（W）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	XK1R9F10QB,LXGQ 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 184 nC @ 10 V
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs（最大值） ±20V
系列 U-MOSX-H	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11500 pF @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 375W（Tc）
零件状态在售	工作温度 175°C
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160A（Ta）	供应商器件封装 TO-220SM（W）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.92 毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 XK1R9F10
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1mA