Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 26.8467 SGD
Availability: OutOfStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TW083N65C,S1F
DigiKey 零件编号	264-TW083N65CS1F-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW083N65C,S1F
描述	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 30A（Tc） 111W（Tc） TO-247
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 600µA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28 nC @ 18 V
包装管件	Vgs（最大值） +25V，-10V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 873 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 111W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 175°C
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）	供应商器件封装 TO-247
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 113 毫欧 @ 15A，18V