Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 30.79468 SGD
Availability: OutOfStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TW070J120B,S1Q
DigiKey 零件编号	264-TW070J120BS1Q-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW070J120B,S1Q
描述	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
原厂标准交货期	15 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 272W（Tc） TO-3P（N）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TW070J120B,S1Q 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 18A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.8V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	67 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	±25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1680 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	272W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P（N）
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号	TW070J120