Name: TW045N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW045N120CS1F-ND
Price: 46.5975 SGD
Availability: InStock

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TW045N120C,S1F
DigiKey 零件编号	264-TW045N120CS1F-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TW045N120C,S1F
描述	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 1200 V 40A（Tc） 182W（Tc） TO-247
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 6.7mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 57 nC @ 18 V
包装管件	Vgs（最大值） +25V，-10V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1969 pF @ 800 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 182W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 175°C
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）	供应商器件封装 TO-247
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 59 毫欧 @ 20A，18V

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TW045N120C,S1F