通孔 N 通道 1200 V 100A(Tc) 431W(Tc) TO-247
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 1200 V 100A(Tc) 431W(Tc) TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N120C,S1F

DigiKey 零件编号
264-TW015N120CS1F-ND
制造商
制造商产品编号
TW015N120C,S1F
描述
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 1200 V 100A(Tc) 431W(Tc) TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
TW015N120C,S1F 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 11.7mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
158 nC @ 18 V
包装
管件
Vgs(最大值)
+25V,-10V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6000 pF @ 800 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
431W(Tc)
技术
工作温度
175°C
漏源电压(Vdss)
1200 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 50A,18V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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管件
数量 单价总价
1$117.08000$117.08
30$86.42967$2,592.89
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$117.08000
含 VAT 单价:$127.61720