Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 5.8424 SGD
Availability: OutOfStock

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TPW1R306PL,L1Q
DigiKey 零件编号	TPW1R306PLL1QTR-ND - 卷带（TR） TPW1R306PLL1QCT-ND - 剪切带（CT） TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPW1R306PL,L1Q
描述	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 260A（Tc） 960mW（Ta），170W（Tc） 8-DSOP Advance
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TPW1R306PL,L1Q 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 91 nC @ 10 V
系列 U-MOSIX-H	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8100 pF @ 30 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 960mW（Ta），170W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 175°C
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 8-DSOP Advance
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260A（Tc）	封装/外壳 8-PowerVDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 TPW1R306
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.29 毫欧 @ 50A，10V