Name: TPHR9003NL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR9003NL1LQTR-ND
Price: 3.6951 SGD
Availability: OutOfStock

表面贴装型 N 通道 30 V 150A（Tc） 800mW（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5.75）

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TPHR9003NL1,LQ
DigiKey 零件编号	264-TPHR9003NL1LQTR-ND - 卷带（TR） 264-TPHR9003NL1LQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TPHR9003NL1LQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPHR9003NL1,LQ
描述	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 150A（Tc） 800mW（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5.75）
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.9 毫欧 @ 50A，10V
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 1mA
系列 U-MOSVIII-H	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 74 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6900 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 800mW（Ta），170W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150A（Tc）	供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5.75）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN