Name: TK7J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7J90ES1E-ND
Price: 6.3983 SGD
Availability: InStock

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TK7J90E,S1E
DigiKey 零件编号	TK7J90ES1E-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK7J90E,S1E
描述	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 900 V 7A（Ta） 200W（Tc） TO-3P（N）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK7J90E,S1E 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 700µA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 32 nC @ 10 V
系列 π-MOSVIII	Vgs（最大值） ±30V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1350 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 200W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 900 V	供应商器件封装 TO-3P（N）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A（Ta）	封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 TK7J90
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 欧姆 @ 3.5A，10V

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含 VAT 单价:	$6.39830

TK7J90E,S1E