Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 9.81 SGD
Availability: InStock

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TK31V60W5,LVQ
DigiKey 零件编号	TK31V60W5LVQTR-ND - 卷带（TR） TK31V60W5LVQCT-ND - 剪切带（CT） TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK31V60W5,LVQ
描述	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK31V60W5,LVQ 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.5mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 105 nC @ 10 V
系列 DTMOSIV	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3000 pF @ 300 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 240W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TA）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 4-DFN-EP（8x8）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30.8A（Ta）	封装/外壳 4-VSFN 祼焊盘
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 TK31V60
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 109 毫欧 @ 15.4A，10V