Name: TK11P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11P65W,RQTR-ND
Price: 5.1448 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TK11P65W,RQ
DigiKey 零件编号	264-TK11P65W,RQTR-ND - 卷带（TR） 264-TK11P65W,RQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TK11P65W,RQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK11P65W,RQ
描述	MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK11P65W,RQ 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 450µA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 25 nC @ 10 V
系列 DTMOSIV	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 890 pF @ 300 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 100W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 DPAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.1A（Ta）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 TK11P65
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 440 毫欧 @ 5.5A，10V

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