Name: TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ40S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 3.6079 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
DigiKey 零件编号	264-TJ40S04M3L(T6L1,NQTR-ND - 卷带（TR） 264-TJ40S04M3L(T6L1,NQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TJ40S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TJ40S04M3L(T6L1,NQ
描述	MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TJ40S04M3L(T6L1,NQ 型号

产品属性

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Category 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 1mA
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 83 nC @ 10 V
系列 U-MOSVI	Vgs（最大值） +10V，-20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4140 pF @ 10 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 68W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 40 V	供应商器件封装 DPAK+
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Ta）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 TJ40S04
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 20A，10V

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替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD70P04P4L08ATMA1	Infineon Technologies	2,174	448-IPD70P04P4L08ATMA1CT-ND	$2.70000	类似
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