MOSFET - 阵列 20V 180mA，100mA 200mW 表面贴装型 US6
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SSM6L35FU(TE85L,F)

DigiKey 零件编号
SSM6L35FU(TE85LF)TR-ND - 卷带（TR）
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND - 剪切带（CT）
SSM6L35FU(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
SSM6L35FU(TE85L,F)
描述
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A US6
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 20V 180mA，100mA 200mW 表面贴装型 US6
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SSM6L35FU(TE85L,F) 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA，100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5pF @ 3V
功率 - 最大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
SSM6L35
产品问答

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现货: 2,750
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$0.66000$0.66
10$0.40300$4.03
100$0.25500$25.50
500$0.19060$95.30
1,000$0.16978$169.78
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$0.14328$429.84
6,000$0.12992$779.52
9,000$0.12310$1,107.90
15,000$0.11544$1,731.60
21,000$0.11091$2,329.11
30,000$0.10650$3,195.00
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.66000
含 VAT 单价:$0.71940
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