RN1962TE85LF 已经过时且不再制造。
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 500mW 表面贴装型 US6
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

RN1962TE85LF

DigiKey 零件编号
RN1962TE85LFTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
RN1962TE85LF
描述
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 500mW 表面贴装型 US6
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
晶体管类型
2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
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