GT50JR22(STA1,E,S)
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

GT50JR22(STA1,E,S)

DigiKey 零件编号
264-GT50JR22(STA1ES)-ND
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
GT50JR22(STA1,E,S)
描述
IGBT 600V 50A TO-3P
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 600 V 50 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，50A
功率 - 最大值
230 W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P（N）
产品问答

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现货: 4
检查是否有其他入库库存
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$9.11000$9.11
25$5.35280$133.82
100$4.45600$445.60
500$3.80516$1,902.58
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$9.11000
含 VAT 单价:$9.92990
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