IGBT 1200 V 40 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
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GT40QR21(STA1,E,D

DigiKey 零件编号
264-GT40QR21(STA1ED-ND
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
GT40QR21(STA1,E,D
描述
IGBT 1200V 40A TO-3P
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 1200 V 40 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值
230 W
开关能量
-，290µJ（关）
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
280V，40A，10 欧姆，20V
反向恢复时间 (trr)
600 ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P（N）
基本产品编号
GT40QR21
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现货: 25
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$7.38000$7.38
25$4.27280$106.82
100$3.52870$352.87
500$2.93328$1,466.64
1,000$2.87522$2,875.22
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$7.38000
含 VAT 单价:$8.04420