STW75N60M6 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效

STW75N60M6-4
STMicroelectronics
现货: 469
单价: $15.60000
规格书

参数等效

STWA75N60M6
STMicroelectronics
现货: 551
单价: $15.27000
规格书

类似

FCH041N60E
onsemi
现货: 733
单价: $20.17000
规格书

类似

FCH041N65EF-F155
onsemi
现货: 358
单价: $21.52000
规格书

类似

FCH76N60NF
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

SCT3030ALGC11
Rohm Semiconductor
现货: 450
单价: $39.51000
规格书

类似

TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 30
单价: $18.65000
规格书

类似

TSM60NE048PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 300
单价: $20.22000
规格书

类似

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: $15.97000
规格书
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通孔 N 通道 600 V 72A（Tc） 446W（Tc） TO-247-3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STW75N60M6

DigiKey 零件编号
STW75N60M6-ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STW75N60M6
描述
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 72A（Tc） 446W（Tc） TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW75N60M6 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M6
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
106 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4850 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
446W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW75
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管件
数量 单价总价
600$5.89653$3,537.92
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$5.89653
含 VAT 单价:$6.42722