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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
STW58N65DM2AG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-16137-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STW58N65DM2AG |
描述 | MOSFET N-CH 650V 48A TO247 |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STW58N65DM2AG 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 88 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±25V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4100 pF @ 100 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 360W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 TO-247-3 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 65 毫欧 @ 24A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA |
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替代品 (9)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5,069 | 238-IXFH60N65X2-ND | $21.14000 | 类似 |
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | $18.16000 | 类似 |
| IXTH52N65X | IXYS | 0 | IXTH52N65X-ND | $12.13233 | 类似 |
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | $20.67000 | 类似 |
| SIHW47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 460 | SIHW47N60EF-GE3-ND | $15.58000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 600 | $10.08945 | $6,053.67 |
| 不含 VAT 单价: | $10.08945 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $10.99750 |
