STW56N60DM2 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


IXYS
现货: 5,069
单价: $21.14000
规格书

类似


IXYS
现货: 450
单价: $18.16000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $12.13233
规格书

类似


IXYS
现货: 350
单价: $20.67000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 1,083
单价: $22.38000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $10.84000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 300
单价: $21.30000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 295
单价: $16.82000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 265
单价: $14.83000
规格书
通孔 N 通道 600 V 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 600 V 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247-3

STW56N60DM2

DigiKey 零件编号
497-16341-5-ND
制造商
制造商产品编号
STW56N60DM2
描述
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 50A(Tc) 360W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STW56N60DM2 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
90 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±25V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4100 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
360W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 25A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (9)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IXFH60N65X2IXYS5,069238-IXFH60N65X2-ND$21.14000类似
IXTH48N65X2IXYS450IXTH48N65X2-ND$18.16000类似
IXTH52N65XIXYS0IXTH52N65X-ND$12.13233类似
IXTH62N65X2IXYS350IXTH62N65X2-ND$20.67000类似
R6077VNZ4C13Rohm Semiconductor1,083846-R6077VNZ4C13-ND$22.38000类似
现货: 0
查看交期
申请库存通知
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$12.06000$12.06
30$7.01833$210.55
120$5.91067$709.28
510$5.09918$2,600.58
1,020$4.87261$4,970.06
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$12.06000
含 VAT 单价:$13.14540