STP12N60M2 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似

AOT7S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

FCP600N60Z
onsemi
现货: 145
单价: $4.35000
规格书

类似

FCP7N60
onsemi
现货: 790
单价: $4.78000
规格书

类似

IXFP8N65X2
IXYS
现货: 0
单价: $2.52313
规格书

类似

IXTP8N65X2M
IXYS
现货: 12
单价: $5.64000
规格书

类似

IXTP8N70X2
IXYS
现货: 26
单价: $7.20000
规格书

类似

IXTP8N70X2M
IXYS
现货: 12
单价: $6.09000
规格书

类似

RJK6014DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: $7.24000
规格书
查看所有替代品并进行比较
TO-220-3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STP12N60M2

DigiKey 零件编号
497-16020-5-ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STP12N60M2
描述
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
原厂标准交货期
14 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STP12N60M2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
538 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP12
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
查看交期
申请库存通知
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$3.37000$3.37
50$1.64400$82.20
100$1.47640$147.64
500$1.18254$591.27
1,000$1.08809$1,088.09
2,000$1.00866$2,017.32
5,000$0.94860$4,743.00
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$3.37000
含 VAT 单价:$3.67330