STP11N65M5 没有现货,但可以进行缺货下单。
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图像仅供参考,请参阅产品规格书。
STP11N65M5 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-13170-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | STP11N65M5 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 85W(Tc) TO-220 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STP11N65M5 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 480 毫欧 @ 4.5A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 644 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 85W(Tc) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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数量
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.43000 | $3.43 |
| 50 | $1.68100 | $84.05 |
| 100 | $1.51080 | $151.08 |
| 500 | $1.21202 | $606.01 |
| 1,000 | $1.11599 | $1,115.99 |
| 2,000 | $1.03524 | $2,070.48 |
| 5,000 | $0.98018 | $4,900.90 |
| 不含 VAT 单价: | $3.43000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.73870 |








