Name: STD12N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15458-2-ND
Price: 3.4989 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STD12N65M2
DigiKey 零件编号	497-15458-2-ND - 卷带（TR） 497-15458-1-ND - 剪切带（CT） 497-15458-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STD12N65M2
描述	MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STD12N65M2 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 16.5 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ M2	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 535 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 85W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 DPAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 STD12
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 500 毫欧 @ 4A，10V

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