
STB35N65DM2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-18244-2-ND - 卷带(TR) 497-18244-1-ND - 剪切带(CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | STB35N65DM2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | STB35N65DM2 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 110 毫欧 @ 14A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 54 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2400 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 210W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | D2PAK | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $7.76000 | $7.76 |
| 10 | $5.17900 | $51.79 |
| 100 | $3.71430 | $371.43 |
| 500 | $3.60858 | $1,804.29 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $2.94818 | $2,948.18 |
| 不含 VAT 单价: | $7.76000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $8.45840 |


