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SCTW35N65G2V 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW35N65G2V-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW35N65G2V |
描述 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW35N65G2V 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 最后售卖 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 20A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +22V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 240W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
最后售卖
最后售卖日期：15/02/2026
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 600 | $10.10940 | $6,065.64 |
| 不含 VAT 单价: | $10.10940 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $11.01925 |
新加坡