SCT30N120 STMicroelectronics | 单 FET，MOSFET

SCT30N120 已经过时且不再制造。

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 1mA（典型值）
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 105 nC @ 20 V
包装管件	Vgs（最大值） +25V，-10V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1700 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 270W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1200 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）	供应商器件封装 HiP247™
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V	封装/外壳 TO-247-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 20A，20V	基本产品编号 SCT30

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替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IXFH50N85X	IXYS	572	IXFH50N85X-ND	$30.23000	类似
MSC080SMA120B	Microchip Technology	128	MSC080SMA120B-ND	$17.56000	类似

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SCT30N120